2Т709А транзистор кремниевый

2Т709А Транзисторы 2Т709А кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные усилительные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-8 (ТО-66). Основные технические характеристики транзистора 2Т709А: ∙ Структура транзистора: p-n-p ∙Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 30 Вт; ∙ fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 мГц; ∙ Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 100 В; ∙ Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; ∙ Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; ∙ h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 500. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т709А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой не более 3 МГц; 09 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.