Описание
Характеристики
Отзывы
Описание
IPD082N10N3 G, SP001127824
• OptiMOS™3 power transistor
• N-channel, normal level
• Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance R DS(on)
• Qualified according to JEDEC for target application
• Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
Характеристики
Статус наличия (общий)
Под заказ
Детали наличия
,срок 7-8 недель
Тех. документация (ссылки)
https://static.chipdip.ru/lib/714/DOC020714078.pdf
Ссылка на товар
https://www.chipdip.ru/product/ipd082n10n3gatma1-power-mosfet-n-channel-100-v-80-infineon-8585095725
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Отзывы
Отзывов еще никто не оставлял
