Описание
Характеристики
Отзывы
Описание
QPD GaN RF Transistors Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Характеристики
Статус наличия (общий)
Под заказ
Детали наличия
,срок 6-7 недель
Тех. документация (ссылки)
https://static.chipdip.ru/lib/686/DOC043686213.pdf
Ссылка на товар
https://www.chipdip.ru/product/t2g6003028-fs-gan-fets-dc-6.0ghz-30-watt-28v-qorvo-8005279612
Производитель
Qorvo Inc.
Отзывы
Отзывов еще никто не оставлял
